Optek OPB810W51Z
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Country of OriginMexico
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
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890nm Through-Beam 9.53mm Phototransistor wire mounting，base mount 30.99mm*6.35mm*10.8mm
Beschreibungen
Beschreibungen von Optek OPB810W51Z, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
OPB810W Series 30 V 890 nm 50 mA 26 AWG Phototransistor Slotted Optical Switch
890nm Through-Beam 9.53mm Phototransistor wire mounting，base mount 30.99mm*6.35mm*10.8mm
Optical Sensor (Switch) Transmissive/S; |Tt Electronics / Optek Technology OPB810W51Z
Optical Switches, Transmissive, Phototransistor Output .375 SLOT OPAQUE WIRE LEADS
9.53 mm SLOT WIDTH 1 CHANNEL SLOTTED OPTICAL SWITCH TRANSISTOR OUTPUT
SENSOR, TRANSMISSIVE, WIDE GAP OPTICAL SWITCH, 9.53MM SLOT, 890NM, 100 MW
Photointerrupter Transmissive 9.53mm Phototransistor 5-Pin Bag
Optical SW Transmissive Phototransistor Output
PHOTO INTERRUPTERS - TRANSMISSIVE;
SENSOR OPT SLOT PHOTOTRANS MODUL
SENS OPTO SLOT 9.53MM TRANS C-MT
WIDE GAP SLOTTED OPTICAL SWTCH
Fork coupler Dimensions L x W x H: 6.35 x 30.99 x 15.6 mm Gap width: 9.52 mm Operating temperature: -40...80 °C Output collector-emitter voltage: 30 V
Aliasnamen des Herstellers
Optek verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Optek ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- OPTEK TECHNOLOGY
- TT Electronics/Optek Technology
- OPTEK TECHNOLOGY INC
- OPT
- OPTE
- OPTEK TECH
- OPTEC
- OPTK
- Optek / TT Electronics
- Optek Technology/TT Electronics
- TT Electronics - Optek
- TT Optek
- OPTEK TEC
- OPTEK Technologies
- C- OPTEK
- OPTEK TECHNOLOG
- C-OPTEKTECH
- OPTEK MIL
- OPTEK TECH INC
- Kyocera Optrex
- BEDFORD OPTO TECHNOLOGY LTD
- OPTEK INC
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Housing MaterialPlastic
MaterialPlastic
MountChassis Mount, Screw
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Dark Current100 nA
Forward Current50 mA
Forward Voltage1.7 V
Input Current20 mA
Max Collector Current30 mA
Max Operating Temperature80 °C
Max Output Current30 mA
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Circuits1
Number of Elements1
Output ConfigurationPhototransistor
Output TypePhototransistor
Output Voltage30 V
PackagingBulk
Power Dissipation100 mW
Reverse Breakdown Voltage2 V
Reverse Voltage (DC)2 V
Sensing Distance9.525 mm
TerminationLead Wire
TouchscreenInfrared (IR)
Wavelength890 nm
Dimensions
Height11.1 mm
Width30.99 mm
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