Optek OPB100-SZ
$ 3.4
Production
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Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +9.02%
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Country of OriginMexico
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.40.80.00
Introduction Date2005-11-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Optek OPB100-SZ, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
EMITTER, SILICON PHOTOTRANSISTOR SENSOR, SNAP MOUNT, LOW PROFILE
880nm Through-Beam 304.8mm 1.7V , 20.32mm*8.128mm*3.81mm
880 nm Viewing Angle 25° Optical Emitter and Sensor Pair
FIBER OPTIC PHOTO TRANSISTOR DETECTOR
SENSOR OPT SLOT PHOTOTRANS MODUL
SILICON PHOTO TRANSISTOR SENSO
NPN PHOTOTRANSISTOR,880NM,SNAP-IN PANEL; Wavelength Typ: 880nm; Viewing Angle: -; Power Consumption: 250mW; No. of Pins: 2Pins; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: -; Operating Tempera
Aliasnamen des Herstellers
Optek verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Optek ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- OPTEK TECHNOLOGY
- TT Electronics/Optek Technology
- OPTEK TECHNOLOGY INC
- OPT
- OPTE
- OPTEK TECH
- OPTEC
- OPTK
- Optek / TT Electronics
- Optek Technology/TT Electronics
- TT Electronics - Optek
- TT Optek
- OPTEK TEC
- OPTEK Technologies
- C- OPTEK
- OPTEK TECHNOLOG
- C-OPTEKTECH
- OPTEK MIL
- OPTEK TECH INC
- Kyocera Optrex
- BEDFORD OPTO TECHNOLOGY LTD
- OPTEK INC
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +9.02%
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageModule
MountSnap-In
Number of Pins2
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Dark Current100 nA
Forward Current100 mA
Forward Voltage1.7 V
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current50 mA
Max Operating Temperature80 °C
Max Power Dissipation250 mW
Max Supply Voltage1.7 V
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements1
Output ConfigurationPhototransistor
Output Voltage30 V
PolarityNPN
Power Consumption250 mW
Power Dissipation250 mW
Reverse Breakdown Voltage2 V
Sensing Distance304.8 mm
Viewing Angle25 °
Wavelength880 nm
Dimensions
Height3.81 mm
Length20.32 mm
Datenblätter und Dokumente
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