onsemi TIP31C
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Obsolete
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$ 0.38
$ 0.236
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Stock
248,599
588,405
588,405
Authorized Distributors
4
6
6
Mount
Through Hole
-
-
Case/Package
TO-220
TO-220-3
TO-220-3
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
100 V
100 V
Max Collector Current
3 A
3 A
3 A
Transition Frequency
2 MHz
3 MHz
3 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1.2 V
1.2 V
1.2 V
hFE Min
10
10
10
Power Dissipation
2 W
2 W
2 W
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1991-05-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 8 months ago)
LTB Date2017-11-19
LTD Date2018-05-19
Verwandte Teile
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi TIP31C, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor TIP31C General Purpose BJT NPN 100 Volt 3 Amp TO-220
TRANS NPN 100V 3A TO220AB / Trans GP BJT NPN 100V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag
TIP Series NPN 100 V 3 A Epitaxial Silicon Transistor - TO-220-3
1.2V@ 375mA,3A NPN 40W 5V 300μA 100V 100V 3A TO-220 Through hole mounting 9.4mm(height)
Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Power
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 100V, TO-220AB-3
Darlington Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Power Dissipation, Pd:40W; DC Current Gain Min (hfe):10; Package/Case:TO-220; C-E Breakdown Voltage:100V; DC Collector Current:3A; Leaded Process Compatible:Yes ;RoHS Compliant: Yes
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 100V, TO-220AB-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100V; Transition Frequency ft: 3MHz; Power Dissipation Pd: 40W; DC Collector Current: 3A; DC Current Gain hFE: 10hFE; Transistor Case Style: TO-220AB; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: -; SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.214 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Current3 A
Current Rating3 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency3 MHz
Gain Bandwidth Product3 MHz
hFE Min10
Max Breakdown Voltage100 V
Max Collector Current3 A
Max Frequency3 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation2 W
Transition Frequency2 MHz
Voltage100 V
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height16.51 mm
Length10.67 mm
Width4.83 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen