onsemi TIP29C
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Price @ 1000
$ 0.442
$ 0.505
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Stock
316,785
265,003
265,003
Authorized Distributors
2
6
6
Mount
Through Hole
-
-
Case/Package
TO-220AB
TO-220-3
TO-220-3
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
100 V
100 V
Max Collector Current
1 A
1 A
1 A
Transition Frequency
2 MHz
3 MHz
3 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
700 mV
700 mV
700 mV
hFE Min
15
15
15
Power Dissipation
2 W
2 W
2 W
Lieferkette
Country of OriginUSA
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1980-07-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi TIP29C, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Tube Through Hole NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 15 @ 1A 4V 1A 2W 3MHz
1.0 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor
Trans GP BJT NPN 100V 1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Bulk
Transistor TIP29C TO-220 NPN Epitax 100 Volt 1 Amp
NPN POWER TRANSISTOR 100V/1A TO-220
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 100V, TO-220AB-3
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Darlington Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Power Dissipation, Pd:30W; DC Current Gain Min (hfe):15; Package/Case:TO-220; C-E Breakdown Voltage:100V; DC Collector Current:1A; Leaded Process Compatible:Yes ;RoHS Compliant: Yes
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 100V, TO-220AB-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100V; Transition Frequency ft: 3MHz; Power Dissipation Pd: 30W; DC Collector Current: 1A; DC Current Gain hFE: 15hFE; Tran
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220AB
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.214 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage700 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Current Rating1 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency3 MHz
Gain Bandwidth Product3 MHz
hFE Min15
Max Breakdown Voltage80 V
Max Collector Current1 A
Max Frequency3 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation2 W
Transition Frequency2 MHz
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height6.35 mm
Length6.35 mm
Width6.35 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen