onsemi TIP142T
Obsolete
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Alternative Teile
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Price @ 1000
$ 0.763
Stock
47,006
246,189
Authorized Distributors
0
5
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220AB
TO-220
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
100 V
Max Collector Current
10 A
10 A
Transition Frequency
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2 V
3 V
hFE Min
500
500
Power Dissipation
80 W
125 W
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-12-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi TIP142T, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bulk Through Hole NPN - Darlington Single Bipolar (BJT) Transistor 1000 @ 5A 4V 2mA 80W 100V
TIP Series NPN 80 W 100 V 10 A Epitaxial Darlington Transistor - TO-220-3
10 A, 100 V NPN Epitaxial Darlington Power Bipolar Junction Transistor
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Trans Darlington NPN 100V 10A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Bulk
Darlington Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Power Dissipation, Pd:80W; DC Current Gain Min (hfe):1000; Package/Case:TO-220; C-E Breakdown Voltage:100V; DC Collector Current:10A; Leaded Process Compatible:Yes ;RoHS Compliant: Yes
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 100V, TO-220AB-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 80W; DC Collector Current: 10A; DC Current Gain hFE: 500hFE; Trans
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
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1 Teil verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220AB
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.214 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Current Rating10 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min500
Max Collector Current10 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation80 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation80 W
Schedule B8541290080
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height9.4 mm
Length10.67 mm
Width4.83 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen