onsemi TIP122
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Datenblätter und Dokumente
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CAD-Modelle
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | Fußabdruck | 3D | Herunterladen |
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Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 0.276
$ 0.276
Stock
6,206,823
581,929
581,929
Authorized Distributors
2
6
6
Mount
Through Hole
-
-
Case/Package
TO-220
TO-220-3
TO-220-3
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
100 V
100 V
Max Collector Current
5 A
5 A
5 A
Transition Frequency
2 MHz
4 MHz
4 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
2 V
2 V
2 V
hFE Min
1000
1000
1000
Power Dissipation
2 W
2 W
2 W
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1991-04-24
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 day ago)
LTB Date2009-12-19
LTD Date2010-06-19
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi TIP122, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Tube Through Hole NPN - Darlington Single Bipolar (BJT) Transistor 1000 @ 3A 3V 5A 2W 100V
5.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Darlington Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Power Dissipation, Pd:65W; DC Current Gain Min (hfe):1000; Package/Case:TO-220; C-E Breakdown Voltage:100V; DC Collector Current:5A; Leaded Process Compatible:Yes ;RoHS Compliant: Yes
TRANSISTOR, NPN, TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Power Dissipation Pd:2W; DC Collector Current:5A; DC Current Gain hFE:1000; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:2V; Current Ic Continuous a Max:5A; Hfe Min:1000; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Pd:2W; Termination Type:Through Hole
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.214012 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Continuous Collector Current5 A
Current5 A
Current Rating5 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min1000
Max Breakdown Voltage100 V
Max Collector Current5 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation65 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation2 W
Transition Frequency2 MHz
Voltage100 V
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height9.4 mm
Length10.67 mm
Width4.83 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen