onsemi TIP120
Obsolete
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1 Teil verfügbar
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
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Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 0.249
$ 0.249
Stock
813,143
332,429
332,429
Authorized Distributors
0
6
6
Mount
Through Hole
-
-
Case/Package
TO-220
TO-220AB
TO-220AB
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
-
60 V
60 V
Max Collector Current
5 A
5 A
5 A
Transition Frequency
2 MHz
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2 V
2 V
2 V
hFE Min
1000
1000
1000
Power Dissipation
65 W
65 W
65 W
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1993-03-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi TIP120, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bulk Through Hole NPN - Darlington Single Bipolar (BJT) Transistor 1000 @ 3A 3V 5A 65W 60V
TIP120 Series 60 V 5 A Through Hole NPN Epitaxial Darlington Transistor-TO-220-3
Medium Power NPN Darlington Bipolar Power Transistor
4V@ 20mA,5A NPN 2W 5V 200μA 60V 60V 5A TO-220-3 Through hole mounting 9.4mm(height)
Trans Darlington NPN 60V 5A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Bulk
5 A 60 V NPN Si POWER TRANSISTOR TO-220AB
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 60V, TO-220AB-3
NPN EPITAXIAL DARLINGTON TRANSISTOR Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Darlington Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Power Dissipation, Pd:65W; DC Current Gain Min (hfe):1000; Package/Case:TO-220; C-E Breakdown Voltage:100V; DC Collector Current:5A; Leaded Process Compatible:Yes ;RoHS Compliant: Yes
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 60V, TO-220AB-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 65W; DC Collector Current: 5A; DC Current Gain hFE: 1000hFE; Transis
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.214 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Saturation Voltage2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Continuous Collector Current5 A
Current Rating5 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min1000
Max Breakdown Voltage60 V
Max Collector Current5 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation65 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation65 W
Transition Frequency2 MHz
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height9.2 mm
Length9.9 mm
Width4.5 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen