onsemi TIP112

Name: onsemi TIP112
Brand: onsemi
SKU: TIP112

Bulk Through Hole NPN - Darlington Single Bipolar (BJT) Transistor 1000 @ 1A 4V 2A 2W 40MHz

$ 1.09

Obsolete

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Verical	TIP112	6.300	100			2,352	2,352	2,352
Master Electronics	TIP112	6.340	100			1,590	1,090	0,890
Onlinecomponents.com	TIP112	6.340	100	Bulk		1,590	1,090	0,890
Worldway Electronics	TIP112	9.730	7	Tube	0,094	0,092	0,087	0,087	6h
UnikeyIC	TIP112	6.340	100	Cut Tape		1,717	1,145	0,935	4h

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IHS

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Datasheet0 SeitenVor 0 Jahren

Datasheet1 SeiteVor 0 Jahren

Datasheet8 SeitenVor 25 Jahren

Datasheet1 SeiteVor 25 Jahren

Datasheet6 SeitenVor 0 Jahren

Upverter

Newark

onsemi

JRH Electronics

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onsemiTIP112

STMicroelectronicsTIP112

Price @ 1000

$ 1.09

$ 0.343

Stock

173,727

261,144

Authorized Distributors

Mount

Through Hole

Case/Package

TO-220-3

Polarity

NPN

Collector Emitter Breakdown Voltage

100 V

Max Collector Current

2 A

Transition Frequency

2 MHz

Collector Emitter Saturation Voltage

2.5 V

hFE Min

500

Power Dissipation

50 W

Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date1983-08-26

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2009-12-19

LTD Date2010-06-19

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi TIP112, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Bulk Through Hole NPN - Darlington Single Bipolar (BJT) Transistor 1000 @ 1A 4V 2A 2W 40MHz

Fly-Wing Technology

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin

IHS

Transistor TIP112 TO-220AB NPN Darling 2 Amp 100 Volt

Jameco

TIP112 Series 100 V 2 A Silicon Power Darlington Transistor - TO-220AB

Future Electronics

Trans Darlington NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Bulk

Verical

NPN POWER TRANSISTOR 100V/2A DARLINGTON TO-220

Master Electronics

2.5V @ IC=2A,IB=8mA NPN - Darlington 2W 5V 2mA 100V 100V 2A TO-220-3 9.4mm

UnikeyIC

NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor

onsemi

Darlington Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Power Dissipation, Pd:50W; DC Current Gain Min (hfe):1000; Package/Case:TO-220; C-E Breakdown Voltage:100V; DC Collector Current:2A; Leaded Process Compatible:Yes ;RoHS Compliant: Yes

Newark

Bilder

Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

TIP-112
TIP112#

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageTO-220-3

Contact PlatingTin

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight1.214 g

Technical

Collector Base Voltage (VCBO)100 V

Collector Emitter Breakdown Voltage100 V

Collector Emitter Saturation Voltage2.5 V

Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V

Continuous Collector Current2 A

Current Rating2 A

Element ConfigurationSingle

Emitter Base Voltage (VEBO)5 V

hFE Min500

Max Breakdown Voltage100 V

Max Collector Current2 A

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation50 W

Min Operating Temperature-65 °C

Number of Elements1

PackagingBulk

PolarityNPN

Power Dissipation50 W

Transition Frequency2 MHz

Voltage Rating (DC)100 V

Dimensions

Height12.7 mm

Length12.7 mm

Width12.7 mm

Datenblätter und Dokumente

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