onsemi TIP112
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Stock
329,200
331,811
331,811
Authorized Distributors
3
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220-3
TO-220-3
TO-220-3
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
100 V
100 V
Max Collector Current
2 A
2 A
2 A
Transition Frequency
2 MHz
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2.5 V
2.5 V
2.5 V
hFE Min
500
500
500
Power Dissipation
50 W
50 W
50 W
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1983-08-26
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2009-12-19
LTD Date2010-06-19
Verwandte Teile
NXP SemiconductorsPHE13007,127
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi TIP112, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
TIP112 Series 100 V 2 A Silicon Power Darlington Transistor - TO-220AB
Trans Darlington NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Bulk
NPN POWER TRANSISTOR 100V/2A DARLINGTON TO-220
2.5V @ IC=2A,IB=8mA NPN - Darlington 2W 5V 2mA 100V 100V 2A TO-220-3 9.4mm
NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor
Darlington Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Power Dissipation, Pd:50W; DC Current Gain Min (hfe):1000; Package/Case:TO-220; C-E Breakdown Voltage:100V; DC Collector Current:2A; Leaded Process Compatible:Yes ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.214 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Continuous Collector Current2 A
Current Rating2 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min500
Max Breakdown Voltage100 V
Max Collector Current2 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation50 W
Transition Frequency2 MHz
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height12.7 mm
Length12.7 mm
Width12.7 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen