onsemi TIP111G
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 SnapEDA | Fußabdruck | 3D | Herunterladen |
 Ultra Librarian | SymbolFußabdruck | Herunterladen |
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Stock
101,915
138,026
Authorized Distributors
6
2
Mount
-
Through Hole
Case/Package
TO-220-3
TO-220AB
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
-
80 V
Max Collector Current
2 A
2 A
Transition Frequency
440 MHz
2 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
2.5 V
2.5 V
hFE Min
500
500
Power Dissipation
-
50 W
Lieferkette
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
onsemiKSD1273QYDTU
Tube Through Hole NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 500 @ 500mA 4V 100muA 2W 30MHz
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi TIP111G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Medium Power NPN Darlington Bipolar Power Transistor NPN , 2.0 A, 80 V
Bipolar junction transistor, NPN, 2 A, 80 V, THT, TO-220, TIP111G
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
ON SEMI TIP111G NPN DARLINGTON TRANSISTOR, 2 A 80 V HFE:500, 3-PIN TO-220
2 A 80 V NPN Si POWER TRANSISTOR TO-220AB
TRANSISTOR ARRAY, DUAL NPN, 80V, TO220AB; Transistor Polarity: Dual NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80V; Power Dissipation Pd: 50W; DC Collector Current: 2A; DC Current Gain hFE: 500hFE; Transistor Case Style: TO-220A
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current Rating2 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min500
Max Breakdown Voltage80 V
Max Collector Current2 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Schedule B8541290080
Transition Frequency440 MHz
Voltage Rating (DC)80 V
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.28 mm
Width4.82 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen