onsemi TIP107
Obsolete
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | 3D | Herunterladen |
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Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 0.456
$ 0.456
Stock
261,295
220,176
220,176
Authorized Distributors
1
6
6
Mount
Through Hole
-
-
Case/Package
TO-220AB
TO-220-3
TO-220-3
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
-
-
Max Collector Current
8 A
8 A
8 A
Transition Frequency
4 MHz
4 MHz
4 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
2.5 V
2 V
2 V
hFE Min
200
200
200
Power Dissipation
2 W
2 W
2 W
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1991-05-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2009-12-19
LTD Date2010-06-19
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi TIP107, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Tube Through Hole PNP - Darlington Single Bipolar (BJT) Transistor 1000 @ 3A 4V 8A 2W -100V
Transistor Darlington Pnp 100 Volt 8 Amp 3-Pin 3+ Tab TO-220 Bulk
Trans Darlington PNP 100V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Bulk
PNP POWER TRANSISTOR 100V/8A DARLINGTON TO-220
Darlington Bipolar Transistor; Transistor Polarity:PNP; Power Dissipation, Pd:80W; DC Current Gain Min (hfe):1000; Package/Case:TO-220; C-E Breakdown Voltage:100V; DC Collector Current:8A; Leaded Process Compatible:Yes ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220AB
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.214 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Current Rating-8 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
hFE Min200
Max Breakdown Voltage100 V
Max Collector Current8 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation80 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityPNP
Power Dissipation2 W
Transition Frequency4 MHz
Voltage Rating (DC)-100 V
Dimensions
Height9.2 mm
Length9.9 mm
Width4.5 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen