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Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1997-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIRF9Z34NPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.1Ohm;ID -19A;TO-220AB;PD 68W;VGS +/-20V
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi SFP9Z34, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET P-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
MOSFET P-CH 60V 18A TO220-3
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
60V P-Channel A-FET / Substitute of IRF9Z34
P-CHANNEL POWER MOSFET
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance140 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time28 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.155 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation82 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation82 W
Rds On Max140 mΩ
Rise Time24 ns
Turn-Off Delay Time43 ns
Datenblätter und Dokumente
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