onsemi NVMYS1D3N04CTWG
$ 1.102
NRND
Preis und Lagerbestand
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3-Monats-Trend: -9.75%
CAD-Modelle
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Lieferkette
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE, NOT REC (Last Updated: 4 days ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NVMYS1D3N04CTWG, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power MOSFET, Single N-Channel, 40 V, 1.15Ω, 252 A
Trans MOSFET N-CH 40V 43A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
TRENCH 6 40V SL NFET / N-Channel 40 V 43A (Ta), 252A (Tc) 3.9W (Ta), 134W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)
Power Field-Effect Transistor, 252A I(D), 40V, 0.00115ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
onsemi NMOS, Vds=40 V, 252 A, LFPAK,SOT-669, , 4
ON Semiconductor, NVMYS1D3N04CTWG
RS APAC
Mosfet, N Ch, 40V, 252A, Lfpak-4; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:252A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(On):0.00096Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.5V; Power Rohs Compliant: Yes |Onsemi NVMYS1D3N04CTWG
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -9.75%
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)252 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance1.15 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation134 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.9 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time48 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height1.3 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen