onsemi NVMFS5C604NLAFT1G
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$ 3.17
$ 2.988
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Stock
281,256
1,262,708
1,262,708
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
-
-
-
Drain to Source Voltage (Vds)
60 V
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
287 A
287 A
287 A
Threshold Voltage
-
-
-
Rds On Max
-
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
3.9 W
3.9 W
3.9 W
Input Capacitance
-
-
-
Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-02-24
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NVMFS5C604NLAFT1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel Power MOSFET 60V, 287A, 1.2mΩ 1500 / Tape & Reel
Trans MOSFET N-CH 60V 40A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
NVMFS5C604NL Series 60 V 40 A 1.2 mOhm N-Ch Surface Mount Power MOSFET - DFN-5
N-Channel 60V 287A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Power Field-Effect Transistor, 287A I(D), 60V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
onsemi NVMFS5C604NLAFT1G MOSFET
RS APAC
SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 60
onsemi NChannel EnhancedMOSTube NVMFS5C604NLseries, Vds=60 V, 287 A, DFNencapsulation, surface mount, 4 + TabPin
MOS Power Transistors LV ( 41V-100V)
Avnet Japan
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)287 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance1.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.9 W
Turn-Off Delay Time57.8 ns
Turn-On Delay Time21.8 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen