onsemi NVMFD5C674NLT1G
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-08-03
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NVMFD5C674NLT1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Dual N Channel Power Mosfet 60V, 42A, 14.4M/Reel Rohs Compliant: Yes |Onsemi NVMFD5C674NLT1G
Dual N−Channel Power MOSFET 60V, 42A, 14.4mΩ
NVMFD5C674NL Series 60 V 42 A 14.4 mOhm N-Channel Dual Power Mosfet - DFN8
Trans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.0204ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET Array Dual N-CH 60V 42A 8-Pin DFN T/R
Avnet Japan
onsemi NMOS NVMFD5C674NL, Vds=60 V, 42 A, DFN, , 8
MOSFET, AEC-Q101, DUAL N-CH, 60V, DFN-8; Transistor Polarity: Dual N Channel; Continuous Drain Current Id: 42A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.0117ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance20.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation3 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time18.6 ns
Turn-On Delay Time9.5 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen