onsemi NVHL040N120SC1
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Alternative Teile
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Price @ 1000
$ 15.94
$ 12.91
$ 12.91
Stock
222,313
303,429
303,429
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
1.2 kV
1.2 kV
1.2 kV
Continuous Drain Current (ID)
60 A
60 A
60 A
Threshold Voltage
-
-
-
Rds On Max
-
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
25 V
25 V
25 V
Power Dissipation
348 W
348 W
348 W
Input Capacitance
-
-
-
Lieferkette
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NVHL040N120SC1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 1200V, 0.056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
1.2kV 60A 39m´Î@20V35A 348W 2.97V@10mA 12pF@800V N Channel 1.781nF@800V 106nC@-5~20V -55¡Í~+175¡Í@(Tj) TO-247-3 MOSFETs ROHS
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 60A, TO-247-3; MOSFET Module Configuration:Single; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:1.2kV; No. of Pins:3Pins; Rds(on) Test Voltage:20V; Power Dissipation:348W RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247-3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)60 A
Drain to Source Breakdown Voltage1.2 kV
Drain to Source Resistance56 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)1.2 kV
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation348 W
Min Breakdown Voltage1.2 kV
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation348 W
Turn-Off Delay Time33 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height24.75 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen