onsemi NTTFS6H850NTAG
$ 0.594
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | NTTFS6H850NTAG | 0 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Onlinecomponents.com | NTTFS6H850NTAG | 0 | 50 | Bulk | ||||||||
| Avnet | NTTFS6H850NTAG | 0 | 3K | 5d | ||||||||
| Future Electronics | NTTFS6H850NTAG | 0 | 1500 | Tape & Reel | ||||||||
| Master Electronics | NTTFS6H850NTAG | 0 | 50 |
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -98.81%
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | Fußabdruck | 3D | Herunterladen |
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Lieferkette
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTTFS6H850NTAG, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
In a Pack of 10, N-Channel MOSFET, 68 A, 80 V, 8-Pin WDFN ON Semiconductor NTTFS6H850NTAG
Transistor MOSFET N-CH 80V 68A 8-Pin WDFN T/R
Avnet Japan
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 80V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN / N-Channel 80 V 11A (Ta), 68A (Tc) 3.2W (Ta), 107W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
onsemi NMOS, Vds=80 V, 68 A, WDFN, , 8
Mosfet, N-Ch, 80V, 68A, Wdfn; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:68A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(On):0.0085Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTTFS6H850NTAG
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance17 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation107 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation107 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time34 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height800 µm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen