onsemi NTTFS1D2N02P1E
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Offizielles DatenblattVor 2 Jahren
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Lieferkette
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2019-09-03
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTTFS1D2N02P1E, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor MOSFET N-CH 25V 180A 8-Pin PQFN T/R
Avnet Japan
MOSFET - Power, Single N-Channel, Power33, 25V, 1.0mW, 180 A MOSFET - Power, Single N-Channel, Power33, 25V, 1.0mW, 180 A
Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin PQFN EP Reel
MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFN / N-Channel 25 V 23A (Ta), 180A (Tc) 820mW (Ta), 52W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3)
MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFN
25V 180A 0.86m´Î@10V38A 52W 2V@934Ã×A 68pF@13V N Channel 4.04nF@13V 24nC@4.5V -55¡Í~+150¡Í@(Tj) PQFN-8 MOSFETs ROHS
MOSFET, N-CH, 25V, 180A, 150DEG C, 52W;
Small Signal Field-Effect Transistor, 180A I(D), 25V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240BA
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)180 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation52 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.7 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time59 ns
Turn-On Delay Time14.8 ns
Dimensions
Height800 µm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen