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Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2008-06-11

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi NTR4170NT1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

N-Channel 30 V 55 mOhm 0.78 W Surface Mount Power MOSFET - SOT-23

Future Electronics

NTR4170NT1G N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 3.9 A, 30 V, 3-PIN SOT-23

RS (Formerly Allied Electronics)

onsemi NChannel EnhancedMOSTube, Vds=30 V, 2.4 A, SOT-23encapsulation, surface mount, 3Pin

UnikeyIC

N CHANNEL MOSFET, 30V, 4A, SOT-23, FULL REEL; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 4A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 45mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Thr

Farnell

Small Signal Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB

IHS

Bilder

RS (Formerly Allied Electronics)

Rochester Electronics

iiiC

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON Semiconductor / Fairchild
ON SEMICOND
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
onsemi / Fairchild
ON SEMICONDUCTOR CORP
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

NTR4170NT1G.

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend: -24.81%

CAD-Modelle

Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen

Alternative Teile

0 Teile verfügbar

Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSOT-23-3

Contact PlatingTin

Number of Pins3

Number of Terminals3

Technical

Continuous Drain Current (ID)3.2 A

Drain to Source Breakdown Voltage30 V

Drain to Source Resistance55 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)30 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time3.5 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)12 V

Input Capacitance432 pF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation1.25 W

Min Breakdown Voltage30 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs1 V

Number of Channels1

Number of Elements1

PackagingTape and Reel

Power Dissipation480 mW

Rds On Max55 mΩ

Resistance55 MΩ

Rise Time9.9 ns

Schedule B8541210080

Threshold Voltage1 V

Turn-Off Delay Time15.1 ns

Turn-On Delay Time6.4 ns

Dimensions

Height1.11 mm

Length3.04 mm

Width1.4 mm