onsemi NTR2101PT1G
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Production
Preis und Lagerbestand
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CAD-Modelle
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0 Teile verfügbar
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 SnapEDA | 3D | Herunterladen | |
 Ultra Librarian | SymbolFußabdruck | Herunterladen |
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Lieferkette
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTR2101PT1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor MOSFET Positive Channel 8 Volt 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Single P-Channel Small Signal MOSFET -8V, -3.7A, 52mΩ
Single P-Channel 8 V 120 mOhm 15 nC 0.96 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23
-8.0 V, -3.7 A, SOT-23 SINGLE P-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 8V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
P CHANNEL MOSFET, -8V, 3.7A, SOT-23; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -3.7A; Drain Source Voltage Vds: -8V; On Resistance Rds(on): 0.039ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5V; Threshold Voltage Vgs: -
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -1.95%
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.7 A
Current Rating-3.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage-8 V
Drain to Source Resistance52 mΩ
Element ConfigurationSingle
Fall Time15.75 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance1.173 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation960 mW
Min Breakdown Voltage8 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation960 mW
Rds On Max52 mΩ
Resistance39 MΩ
Rise Time15.75 ns
Schedule B8541210080
Threshold Voltage-1 V
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time7.4 ns
Voltage Rating (DC)-8 V
Dimensions
Height1.01 mm
Length3.04 mm
Width1.4 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen