onsemi NTP35N15G
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Obsolete
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-06-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2011-04-05
LTD Date2011-10-05
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
InfineonIRF3415PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 150V;RDS(ON) 0.042Ohm;ID 43A;TO-220AB;PD 200W;VGS +/-20V
InfineonIRFB5615PBF
150V Single N-Channel Digital Audio HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTP35N15G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
150 V, 37 A, 50 mOhm Single N-Channel Power MOSFET, TO-220
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 37A Ta 37A 178W 120ns
Trans MOSFET N-CH 150V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
N CHANNEL MOSFET, 150V, 37A, TO-220; Tra
Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 150V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
2W(Ta)，178W(Tj) 20V 4V@ 250µA 100nC@ 10 V 1individualNChannel 150V 50mΩ@ 18.5A,10V 37A 3.2nF@25V TO-220 Through hole mounting 10.28mm*4.82mm*9.28mm
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220AB
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)37 A
Current Rating37 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance50 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time120 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.2 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation178 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation178 W
Rds On Max50 mΩ
Rise Time125 ns
Turn-Off Delay Time90 ns
Voltage Rating (DC)150 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen