Infineon IRFB4615PBF
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-09-05
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 weeks ago)
LTB Date2026-09-30
LTD Date2027-03-31
Verwandte Teile
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InfineonIRF3415PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 150V;RDS(ON) 0.042Ohm;ID 43A;TO-220AB;PD 200W;VGS +/-20V
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFB4615PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
IRFB4615PBF N-channel MOSFET Transistor, 35 A, 150 V, 3-Pin TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / MOSFET N-CH 150V 35A TO-220AB
Single N-Channel 150 V 39 mOhm 26 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 35 A, 0.032 ohm, TO-220AB, Through Hole
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MOSFET, N-CH, 150V, TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:35A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):32mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:144W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:35A; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:144W; Pulse Current Idm:140A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:150V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:5V; Voltage Vgs th Min:3V
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)35 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance39 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Dual Supply Voltage150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.75 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation144 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance39 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation144 W
Rds On Max39 mΩ
Resistance39 MΩ
Rise Time35 ns
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height19.8 mm
Length10.668 mm
Width4.826 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen