onsemi NTP125N65S3H
$ 2.52
Production
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Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -10.23%
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Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2020-09-14
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTP125N65S3H, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET® III, FAST, 650 V, 24 A, 125 mΩ, TO-220
Mosfet, N-Ch, 650V, 24A, To-220 Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTP125N65S3H
MOSFET SUPERFET3 FAST 125MOHM TO-220
650V 24A 171W 108m´Î@10V12A 4V@2.1mA N Channel 2.2nF@400V 44nC@10V -55¡Í~+150¡Í@(Tj) TO-220-3 MOSFETs ROHS
onsemi NMOS NTP125N, Vds=650 V, 24 A, TO-220, , 3
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 650V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -10.23%
CAD-Modelle
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)24 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance125 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation171 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation171 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time66 ns
Turn-On Delay Time22 ns
Dimensions
Height20.4 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen