onsemi NTMFS6B14NT1G
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Obsolete
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Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-12-18
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 days ago)
LTB Date2021-07-05
LTD Date2022-07-05
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)
Verwandte Teile
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTMFS6B14NT1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
ON SEMICONDUCTOR NTMFS6B14NT1G MOSFET Transistor, N Channel, 50 A, 100 V, 0.0122 ohm, 10 V, 4 V
Single N−Channel Power MOSFET 100V, 50A, 14mΩ
Nfet So8Fl 100V 15A 14Moh Rohs Compliant: Yes
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
3.1W 20V 4V@ 250µA 20nC@ 10 V 2individualNChannel 100V 15mΩ@ 20A,10V 10A 5A 1.3nF@ 50V SO SMD mount 4.9mm*5.9mm*1.05mm
N CHANNEL MOSFET, 100V, DFN-5; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 50A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.0122ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDFN
MountSurface Mount
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance15 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.3 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation77 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.1 W
Rds On Max15 mΩ
Rise Time39 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time17 ns
Turn-On Delay Time9.6 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length6.1 mm
Width5.1 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen