Diodes Inc. DMN4020LFDE-7
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Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMN4020LFDE-7 | 543 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | DMN4020LFDE-7DICT-ND | 354 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMN4020LFDE-7 | 0 | 1 | 2h | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | DMN4020LFDE-7 | 0 | 20 | Bulk | 3h | |||||||
| Avnet | DMN4020LFDE-7 | 0 | 3K | 12h |
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Mosfet, N-Ch, 30V, 7.44A, Dfn3030 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMG4800LFG-7
Diodes Inc.DMP32D4SFB-7B
Mosfet, P-Ch, 30V, 0.4A, Dfn1006 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMP32D4SFB-7B
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Mosfet, P-Ch, 50V, 0.18A, X1-Dfn1006 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMP58D0LFB-7
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DMN4020LFDE-7, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Mosfet, N-Ch, 40V, 8A, U-Dfn2020 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN4020LFDE-7
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 8 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Surface Mount
Transistor, MOSFET, N-CH, 40V, 8A, 660mW, 6-UDFN EP
Single N-Channel 40 V 28 mOhm 8.8 nC 0.66 W Silicon SMT Mosfet - UDFN-6
Trans MOSFET N-CH 40V 9.5A 6-Pin DFN T/R (Alt: DMN4020LFDE-7)
MOSFET FET BVDSS 31V 40V N-Ch 8A 28Vgs 1060pF
Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 40V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
660mW(Ta) 20V 2.4V@ 250¦ÌA 19.1nC@ 10 V 1N 40V 20m¦¸@ 8A,10V 8A 1.06nF@20V UDFN-20206 2mm*2mm*600¦Ìm
MOSFET N-CH 40V 8A ENHANC. U-DFN2020-6
场效应管, MOSFET, N沟道, 40V, 8A, U-DFN2020;
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDFN
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance20 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.06 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.03 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max20 mΩ
Rise Time7.1 ns
Turn-Off Delay Time15.1 ns
Turn-On Delay Time5.3 ns
Dimensions
Height580 µm
Length2.05 mm
Width2.05 mm
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