onsemi NTMFS4985NFT3G
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Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-12-14
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 19 hours ago)
LTB Date2022-01-08
LTD Date2022-07-08
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 19 hours ago)
Verwandte Teile
onsemiNTMFS4835NT3G
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 13A Ta 130A Tc 20A 62.5W 13ns
Diodes Inc.DMN3900UFA-7B
DMN3900UFA Series 30 V 550 mA N-Channel Enhancement Mode Mosfet - X2-DFN0806-3
NXP SemiconductorsPMZB380XN,315
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 930mA Ta 930mA 360mW Ta 2.7W Tc 5.5ns
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTMFS4985NFT3G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel Power MOSFET 30V, 65A, 3.4mΩ
Trans MOSFET N-CH 30V 23.9A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
Power Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 30V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 30V 17.5A/65A 5DFN
30V 65A 2.7m´Î@10V30A 22.73W 1.6V@1mA 60pF@15V N Channel 2.1nF@15V 14.2nC@4.5V -55¡Í~+150¡Í@(Tj) SO-8FL MOSFETs ROHS
1.63W(Ta)，22.73W(Tc) 20V 2.3V@1mA 30.5nC@ 10 V 1individualNChannel 30V 3.4mΩ@ 30A,10V 17.5A，65A 2.1nF@15V SO SMD mount 4.9mm*5.9mm*1.05mm
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDFN
Number of Pins5
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)17.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.1 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation22.73 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Rds On Max3.4 mΩ
Rise Time32 ns
Turn-Off Delay Time21 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen