Diodes Inc. DMN3900UFA-7B
$ 0.131
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMN3900UFA-7B | 9.490 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | DMN3900UFA-7B | 1.735 | 1735 | |||||||||
| Arrow Electronics | DMN3900UFA-7B | 1.735 | 1735 | |||||||||
| DigiKey | DMN3900UFA-7BCT-ND | 13.973 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMN3900UFA-7B | 0 | 10K | 1h |
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date2013-08-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.DMP21D5UFB4-7B
Mosfet, P-Ch, 20V, 0.7A, X2-Dfn1006 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMP21D5UFB4-7B
Diodes Inc.DMN2400UFB4-7
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin DFN T/R / MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DMN3900UFA-7B, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Mosfet, N-Ch, 30V, 0.55A, X2-Dfn0806 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN3900UFA-7B
DMN3900UFA Series 30 V 550 mA N-Channel Enhancement Mode Mosfet - X2-DFN0806-3
390mW(Ta) 8V 950mV@ 250¦ÌA 0.7nC@ 4.5 V 1N 30V 760m¦¸@ 200mA,4.5V 550mA 42.2pF@25V DFN
Trans MOSFET N-CH 30V 0.65A 3-Pin X2-DFN T/R
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 30V VDS, 8±V VGS
Diodes Inc SCT
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.65A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N-CH, 30V, 0.55A, X2-DFN0806;
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDFN
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)650 mA
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance1.5 kΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time23.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance42.2 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation390 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation490 mW
Rds On Max760 mΩ
Rise Time7.8 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time80.6 ns
Turn-On Delay Time10.5 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen