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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-02-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 day ago)
LTB Date2022-04-01
LTD Date2022-10-01
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)
Verwandte Teile
onsemiNTMFS4955NT1G
Single N-Channel Power MOSFET 30V, 48A, 6mΩ Power MOSFET 30V 48A 6mOhm Single N-Channel SO-8FL
onsemiNTMFS4C13NT1G
Single N-Channel Power Mosfet 30V, 38A, 9.1M/Reel Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTMFS4C13NT1G
Diodes Inc.DMG4800LFG-7
Trans MOSFET N-CH 30V 7.44A 8-Pin DFN EP T/R / MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN
Diodes Inc.DMN32D2LFB4-7
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 300 mA, 1.2 ohm, X2-DFN1006, Surface Mount
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTMFS4927NT3G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel Power MOSFET 30V, 38A, 7.3mΩ
MOSFET - Power, Single, N-Channel, SO-8 FL Power Field-Effect Transistor
Nfet So8Fl 30V 65.8A 9Moh/Reel Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTMFS4927NT3G
Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
7900 mA 30 V N-CHANNEL Si SMALL SIGNAL MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET TRENCH 3.1 30V 9 Ohm NCH
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDFN
Number of Pins5
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance12 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance913 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20.8 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation20.8 W
Rds On Max7.3 mΩ
Rise Time25.5 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time14 ns
Turn-On Delay Time9.2 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen