Diodes Inc. DMN32D2LFB4-7
$ 0.192
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMN32D2LFB4-7 | 254 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | DMN32D2LFB4-7 | 2.700 | 497 | |||||||||
| Arrow Electronics | DMN32D2LFB4-7 | 2.700 | 497 | |||||||||
| DigiKey | DMN32D2LFB4DICT-ND | 99.495 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMN32D2LFB4-7 | 0 | 1 | 21h |
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 SnapEDA | Fußabdruck | Herunterladen |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-10-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.DMN31D5UFZ-7B
Mosfet, N-Ch, 30V, 0.22A, X2-Dfn0603 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN31D5UFZ-7B
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DMN32D2LFB4-7, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Mosfet, N-Ch, 30V, 0.3A, X2-Dfn1006 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN32D2LFB4-7
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 300 mA, 1.2 ohm, X2-DFN1006, Surface Mount
N-Channel 30 V 1.2 Ohm Enhancement Mode Mosfet - DFN-3
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 30V VDS, 10±V VGS
Diodes Inc SCT
30V 300mA 350mW 1.2Ω@4V,100mA N Channel DFN-3(0.6x1) MOSFETs ROHS
Trans MOSFET N-CH 30V 0.3A 3-Pin X2-DFN T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
350mW(Ta) 10V 1.2V@ 250¦ÌA 1N 30V 1.2¦¸@ 100mA,4V 300mA 39pF@3V 3000,DFN-1006-3 600¦Ìm*1mm*400¦Ìm
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDFN
Contact PlatingGold
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)300 mA
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance1.2 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Input Capacitance39 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation350 mW
Rds On Max1.2 Ω
Resistance1.2 Ω
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time51 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height350 µm
Length1 mm
Width600 µm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen