onsemi NTMFS4921NT1G
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Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-03-26
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 days ago)
LTB Date2022-06-17
LTD Date2022-12-17
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 6 days ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.DMG4406LSS-13
Single N-Channel 30 V 2 W 12.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8
Diodes Inc.DMC3028LSD-13
Dual N/P-Channel 30 V 0.045/0.041 Ohm 5.2/16.4 nC 2.1 W Silicon Mosfet - SOIC-8
NXP SemiconductorsPSMN010-25YLC,115
Power Field-Effect Transistor, 39A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
NXP SemiconductorsPSMN012-25YLC,115
Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTMFS4921NT1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power MOSFET 30V 58.5A 6.95 mOhm Single N-Channel SO-8FL
NTMFS4921NT1G N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 58 A, 30 V, 8-PIN SO-8FL
MOSFET N-CH 30V 8.8A SO8FL / Trans MOSFET N-CH 30V 13.8A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.0088A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
870mW(Ta),38.5W(Tc) 20V 2.5V@ 250¦ÌA 25nC@ 11.5 V 1N 30V 6.95m¦¸@ 30A,10V 1.4nF@12V 4.9mm*5.9mm*1.05mm
REEL / NFET SO8FL 30V 58.8A 6.97
MOSFET N-CH 30V 8.8A/58.5A 5DFN
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSO
Number of Pins5
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)8.8 mA
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance10.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.4 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation870 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Rds On Max6.95 mΩ
Turn-Off Delay Time16.6 ns
Turn-On Delay Time13.3 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length5.1 mm
Width6.1 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen