Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:59A; Drain Source Voltage, Vds:30V; On Resistance, Rds(on):7mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:2.1V; Power Dissipation, Pd:41.7W ;RoHS Compliant: Yes

Newark

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON Semiconductor / Fairchild
ON SEMICOND
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
onsemi / Fairchild
ON SEMICONDUCTOR CORP
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Bestandsverlauf

Trend in der Bestandsentwicklung nicht verfügbar

Technische Spezifikationen

Physical

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Terminals6

Technical

Continuous Drain Current (ID)13.5 A

Drain to Source Breakdown Voltage30 V

Drain to Source Resistance11.6 mΩ

Drain to Source Voltage (Vds)30 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time2.9 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance2.113 nF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation41.7 W

Min Breakdown Voltage30 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

PackagingTape & Reel (TR)

Power Dissipation5.7 W

Rds On Max7 mΩ

Rise Time20.6 ns

Turn-Off Delay Time21.9 ns

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi NTMFS4841NHT3G herunter.

IHS

Datasheet8 SeitenVor 5 Jahren

Compliance

Umweltklassifizierung

China RoHSNon-Compliant

REACH SVHCAffected

RoHSCompliant

Compliance-Erklärungen

Reach Statement8 SeitenVor 11 Jahren