onsemi NTMD3P03R2
$ 0.23
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | NTMD3P03R2 | 183.173 | 1304 | |||||||||
| Rochester Electronics | NTMD3P03R2 | 185.434 | 21h | |||||||||
| Avnet | NTMD3P03R2 | 0 | 2500 | 1d | ||||||||
| Microchip USA | NTMD3P03R2 | 222 | 3500 | Tray | 3d | |||||||
| Component Stockers USA | NTMD3P03R2 | 152.884 | >1wk |
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
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Price @ 1000
$ 0.23
$ 0.518
Stock
1,007,685
1,002,961
Authorized Distributors
3
6
Mount
-
Surface Mount
Case/Package
-
SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss)
-30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
2.34 A
2.34 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
85 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
730 mW
2 W
Input Capacitance
-
750 pF
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTMD3P03R2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor MOSFET Array Dual P-Channel 30V 3.86A 8-Pin SOIC N
MOSFET PWR P-CHAN DUAL 30V 8SOIC / Mosfet Array
MOSFETs- Power and Small Signal 30V 3.05A P-Channel No-Cancel/No-Return
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.34A I(D), 30V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
P-CHANNEL SEPARATE 2ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE 8 AVALANCHE RATED Mosfet Array 2.34A 0.73W 30V 0.085Ohm
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.34 A
Current Rating-3.05 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance85 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Fall Time45 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation730 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation730 mW
Rise Time16 ns
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Voltage Rating (DC)-30 V
Dimensions
Height1.75 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSNon-Compliant
Compliance-Erklärungen