onsemi NTLJS3113PTAG
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Obsolete
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Lieferkette
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.DMP2066UFDE-7
Mosfet, P-Ch, 20V, 6.2A, U-Dfn2020 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMP2066UFDE-7
Diodes Inc.DMN2016LHAB-7
Small Signal Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
NexperiaPMZB300XN,315
Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTLJS3113PTAG, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single P-Channel Power MOSFET -20V -7.7A 40 mΩ
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin WDFN T/R
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
P Channel Mosfet, -20V, 5.8A, Wdfn6; Continuous Drain Current Id:-7.7A; Drain Source Voltage Vds:-20V; Filter Terminals:Surface Mount; No. Of Pins:6; On Resistance Rds(On):32Mohm; Operating Temperature Max:150°C Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTLJS3113PTAG
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDFN
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance50 mΩ
Element ConfigurationSingle
Fall Time17.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance1.329 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.9 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation1.9 W
Rds On Max40 mΩ
Resistance40 MΩ
Rise Time17.5 ns
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time6.9 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen