onsemi NTJS3151PT2G
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Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | NTJS3151PT2G | 99.000 | 61 | |||||||||
| Arrow Electronics | NTJS3151PT2G | 99.000 | 1 | |||||||||
| DigiKey | 488-NTJS3151PT2GCT-ND | 2.962 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Newark | NTJS3151PT2G | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Onlinecomponents.com | NTJS3151PT2G | 0 | 250 | Bulk |
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Price @ 1000
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Stock
1,220,381
582,725
Authorized Distributors
6
6
Mount
-
-
Case/Package
SOT-363-6
SOT-363-6
Drain to Source Voltage (Vdss)
12 V
-
Continuous Drain Current (ID)
2.7 A
2.7 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
60 mΩ
60 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
12 V
12 V
Power Dissipation
625 mW
625 mW
Input Capacitance
850 pF
850 pF
Lieferkette
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTJS3151PT2G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single P-Channel Trench Power MOSFET with ESD Protection -12V -3.3A 60mΩ
P-Channel 12 V 60 mOhm 8.6 nC 625 mW Trench Power Mosfet - SOT-363
2700 mA 12 V P-CHANNEL Si SMALL SIGNAL MOSFET
Trans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-88 T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFETs- Power and Small Signal 12V 3.3A P-Channel
625mW(Ta) 12V 1.2V@ 100¦ÌA 8.6nC@ 4.5 V 1P 12V 60m¦¸@ 3.3A,4.5V 2.7A 850pF@12V SC-88-6 2mm*1.25mm*900¦Ìm
MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-363-6
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.7 A
Current Rating-2.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage-12 V
Drain to Source Resistance60 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)12 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time1.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance850 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 mW
Min Breakdown Voltage12 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation625 mW
Rds On Max60 mΩ
Rise Time1.5 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time3.5 ns
Voltage Rating (DC)-12 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen