onsemi NTJD4105CT1G
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Future Electronics | NTJD4105CT1G | 249.000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | NTJD4105CT1G | 9.000 | 3K | 4d | ||||||||
| Newark | NTJD4105CT1G | 105 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | NTJD4105CT1G | 12.000 | 4886 | |||||||||
| Arrow Electronics | NTJD4105CT1G | 268 | 1 |
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Stock
4,960,580
12,388,105
Authorized Distributors
6
6
Mount
-
-
Case/Package
SOT-363-6
SOT-363-6
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
-
Continuous Drain Current (ID)
630 mA
630 mA
Threshold Voltage
920 mV
-
Rds On Max
375 mΩ
375 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
8 V
8 V
Power Dissipation
-
270 mW
Input Capacitance
46 pF
46 pF
Lieferkette
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
onsemiNVJD4401NT1G
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.91A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
onsemiNTJS4405NT1G
NTJS4405N: Small Signal MOSFET 25V 1.2A 350 mOhm Single N-Channel SC-88/SC70-6/SOT-363
InfineonBSD235NH6327XTSA1
Mosfet, N-Ch, 20V, 0.95A, Sot-363 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSD235NH6327XTSA1
InfineonBSD840NH6327XTSA1
Mosfet, N-Ch, 20V, 0.88A, Sot-363 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSD840NH6327XTSA1
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTJD4105CT1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
NTJD4105C: Small Signal MOSFET 20V 775mA 220 mOhm Dual Complementary SC-88/SC70-6/SOT-363
MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363 / Trans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R
MOSFETs- Power and Small Signal 20V/-8V 0.63A/-.775A Complementary
COMPLEMENTARY, +0.63 A/-0.775 A, SC-88 SMALL SIGNAL MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 0.63A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
550mW ¡À12 @ N Channel,¡À8 @ P Channel 1.5V@ 250¦ÌA 3nC@ 4.5V 2N+2P 20V,8V 375m¦¸@ 630mA,4.5V 630mA,775mA 46pF@20V SC-88,SOP-8,SOT-363,TO-252 2mm*1.25mm*1.1mm
MOSFET, N & P CH, 20V, 0.63A, SOT-363-6; Transistor Polarity: N and P Channel; Continuous Drain Current Id: 630mA; Drain Source Voltage Vds: 20V; On Resistance Rds(on): 0.29ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5V; Threshold Volta
Mosfet, N/P Channel, 20V, 0.63A, Sot-363-6; Channel Type:Complementary N And P Channel; Drain Source Voltage Vds N Channel:20V; Drain Source Voltage Vds P Channel:8V; Continuous Drain Current Id N Channel:630Ma; No. Of Pins:6Pins Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTJD4105CT1G.
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-363-6
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)630 mA
Current Rating630 mA
Drain to Source Breakdown Voltage-8 V
Drain to Source Resistance375 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationDual
Fall Time36 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance46 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation550 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs920 mV
Number of Elements2
PackagingTape and Reel
Rds On Max375 mΩ
Resistance220 mΩ
Rise Time23 ns
Schedule B8541210080
Threshold Voltage920 mV
Turn-Off Delay Time50 ns
Turn-On Delay Time83 ns
Dimensions
Height1 mm
Length2.2 mm
Width1.35 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen