onsemi NTJD2152PT2
Obsolete
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Verpackung
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Bestandsverlauf
Trend in der Bestandsentwicklung nicht verfügbar
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
1 Teil verfügbar
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Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 0.099
Stock
31,360
533,466
Authorized Distributors
0
1
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-363
SOT-363
Drain to Source Voltage (Vds)
8 V
-
Continuous Drain Current (ID)
775 mA
775 mA
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
300 mΩ
300 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
8 V
8 V
Power Dissipation
270 mW
270 mW
Input Capacitance
225 pF
225 pF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-09-02
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 weeks ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTJD2152PT2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFETs- Power and Small Signal 8V Dual P-Channel No-Cancel/No-Return
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.775A I(D), 8V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363
RES SMD 2.7 OHM 5% 1/4W 1206
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
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Alternative Teile
1 Teil verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-363
MountSurface Mount
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)775 mA
Current Rating-775 mA
Drain to Source Breakdown Voltage-8 V
Drain to Source Resistance300 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)8 V
Element ConfigurationDual
Fall Time23 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance225 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation550 mW
Min Breakdown Voltage8 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
Power Dissipation270 mW
Rds On Max300 mΩ
Rise Time23 ns
Turn-Off Delay Time50 ns
Voltage Rating (DC)-8 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCAffected
RoHSNon-Compliant
Compliance-Erklärungen