onsemi NTJD1155LT1G

Name: onsemi NTJD1155LT1G
Brand: onsemi
SKU: NTJD1155LT1G

Dual P-Channel High Side Load Switch with Level-Shift Power MOSFET -8V ±1.3A 175mΩ

$ 0.114

Production

Herstellerseite Datenblatt

Preis und Lagerbestand

Autorisierte Distributoren

Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren

Nicht autorisierte Händler

Alle Preisnachlässe anzeigen

Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	3	NTJD1155LT1G	6.000	3K						0,065	1d
Newark	2	NTJD1155LT1G	7.074	5	Cut Tape		0,279	0,184	0,130	0,130
Future Electronics	5	NTJD1155LT1G	18.000	3K	Tape & Reel					0,106
Rochester Electronics		NTJD1155LT1G	400					0,080	0,066	0,059	5h
DigiKey	3	NTJD1155LT1GOSCT-ND	86.363	1	Cut Tape	0,440	0,273	0,172	0,114	0,114

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend: -5.04%

CAD-Modelle

Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen

Alternative Teile

0 Teile verfügbar

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi NTJD1155LT1G herunter.

IHS

Datasheet8 SeitenVor 6 Jahren

Upverter

element14 APAC

JRH Electronics

Newark

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:

-5.04%

CAD-Modelle

Laden Sie onsemi NTJD1155LT1G Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLE	eCAD	mCAD	DATEIEN
Component Search Engine	SymbolFußabdruck	3D	Herunterladen
EE Concierge	SymbolFußabdruck
SnapEDA	SymbolFußabdruck	3D	Herunterladen
Ultra Librarian	SymbolFußabdruck		Herunterladen

Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.

Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2004-10-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi NTJD1155LT1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Dual P-Channel High Side Load Switch with Level-Shift Power MOSFET -8V ±1.3A 175mΩ

onsemi

P-Channel 8 V 130 mOhm 400 mW Surface Mount Power MOSFET - SOT-363

Future Electronics

NTJD1155LT1G DUAL N/P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 1.3 A, 8 V, 6-PIN SC-88

RS (Formerly Allied Electronics)

Small Signal Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 8V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

NFET SC88 8V HI SIDE SW; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: 1.3A; Drain Source Voltage Vds: -8V; On Resistance Rds(on): 0.175ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5V; Threshold Voltage Vgs: 1V; Power Diss

Farnell

P Channel Mosfet, -8V, Sc-88, Full Reel; Channel Type:Complementary N And P Channel; Drain Source Voltage Vds N Channel:8V; Drain Source Voltage Vds P Channel:8V; Continuous Drain Current Id N Channel:1.3A; No. Of Pins:6Pins Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTJD1155LT1G

Newark

Bilder

Rochester Electronics

Onlinecomponents.com

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

NTJD1155LT1G.

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend: -5.04%

CAD-Modelle

Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen

Alternative Teile

0 Teile verfügbar

Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSOT-363-6

Number of Pins6

Number of Terminals6

Technical

Continuous Drain Current (ID)1.3 A

Current Rating630 mA

Drain to Source Breakdown Voltage-8 V

Drain to Source Resistance175 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)8 V

Element ConfigurationDual

Gate to Source Voltage (Vgs)1 V

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation400 mW

Min Breakdown Voltage8 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements2

PackagingTape and Reel

Power Dissipation400 mW

Rds On Max175 mΩ

Resistance130 mΩ

Threshold Voltage1 V

Dimensions

Height1 mm

Length2.2 mm

Width1.35 mm

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi NTJD1155LT1G herunter.