onsemi NTHD2102PT1G
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-04-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2011-07-24
LTD Date2012-01-24
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTHD2102PT1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power MOSFET 8V 4.6A 62 mOhm Dual P-Channel ChipFET
DUAL P CHANNEL MOSFET, -8V, 1206A; Trans
Trans MOSFET P-CH 8V 3.4A 8-Pin Chip FET T/R
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Tran
Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 8V, 0.058ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFETs- Power and Small Signal -8V -4.6A P-Channel
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-8V; Continuous Drain Current, Id:4.6A; On Resistance, Rds(on):62mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-4.5V; Package/Case:ChipFET ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSMD/SMT
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.4 A
Current Rating-3.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage-8 V
Drain to Source Resistance58 mΩ
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance715 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.1 W
Min Breakdown Voltage8 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
Power Dissipation1.1 W
Rds On Max58 mΩ
Rise Time20 ns
Turn-Off Delay Time20 ns
Voltage Rating (DC)-8 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen