onsemi NTH4L060N090SC1

Name: onsemi NTH4L060N090SC1
Brand: onsemi
SKU: NTH4L060N090SC1

TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS

$ 7.04

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Distributor		SKU		Min
Avnet	2	NTH4L060N090SC1	450	450				7,673	7,097	16h
Newark		NTH4L060N090SC1	84	1	3,410	3,410	3,410	3,410	3,410
Verical	3	NTH4L060N090SC1	430	1	6,389	6,389	6,389	6,389	6,389
Arrow Electronics		NTH4L060N090SC1	30	1	1,501	1,480	1,480	1,480	1,480
Rochester Electronics		NTH4L060N090SC1	1.831				7,110	6,360	5,980	14h

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IHS

Datasheet7 SeitenVor 3 Jahren

Farnell

Future Electronics

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Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 21 hours ago)

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Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi NTH4L060N090SC1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS

EBEE

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 60 mohm, 900 V, M2, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 60 mohm, 900 V, M2, TO-247-4L

onsemi

Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 900V, 0.084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247

IHS

900V 46A 43m´Î@18V20A 221W 2.7V@5mA 11pF@450V N Channel 1.77nF@450V 87nC@-5~15V -55¡Í~+175¡Í@(Tj) TO-247-4L MOSFETs ROHS

Dasenic

Sic Mosfet, N-Ch, 15V, 66.9A, To-247; Mosfet Module Configuration:Single; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:66.9A; Drain Source Voltage Vds:900V; No. Of Pins:4Pins; Rds(On) Test Voltage:15V; Power Dissipation:320W Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTH4L060N090SC1

Newark

Bilder

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt: