onsemi NTH4L020N090SC1

Name: onsemi NTH4L020N090SC1
Brand: onsemi
SKU: NTH4L020N090SC1

TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS

$ 17.85

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	NTH4L020N090SC1	4.500	450					18,412	17,276	1d
Newark		NTH4L020N090SC1	1.344	1		17,790	17,790	17,790	17,790	17,790
Rochester Electronics		NTH4L020N090SC1	900					17,490	15,650	14,730	1d
Verical		NTH4L020N090SC1	900	25				21,863	19,563	18,413
DigiKey		5556-NTH4L020N090SC1-ND	190	1	Tube	30,200	30,200	19,559	17,492	17,492

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IHS

Datasheet8 SeitenVor 3 Jahren

Farnell

Future Electronics

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2019-11-21

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 days ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi NTH4L020N090SC1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS

EBEE

Mosfet, Sic, 900V, 116A, To-247 Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTH4L020N090SC1

Newark

Power Field-Effect Transistor, 148A I(D), 900V, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247

IHS

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 20 mohm, 900 V, M2, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 20 mohm, 900 V, M2, TO-247-4L

onsemi

MOSFET, N-CH, 900V, 116A, TO-247; MOSFET Module Configuration:Single; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:116A; Drain Source Voltage Vds:900V; No. of Pins:4Pins; Rds(on) Test Voltage:18V; Power Dissipatio

element14 APAC

Bilder

LZChips

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt: