onsemi NTGD4167CT1G

NTGD4167C: Small Signal MOSFET 30V 2.6A 90 mOhm Dual Complementary TSOP-6
$ 0.247
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi NTGD4167CT1G herunter.

Master Electronics

Datasheet10 SeitenVor 17 Jahren

IHS

onsemi

Farnell

iiiC

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-8.36%

CAD-Modelle

Laden Sie onsemi NTGD4167CT1G Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
Component Search Engine
SymbolFußabdruck
3DHerunterladen
EE Concierge
SymbolFußabdruck
Ultra Librarian
SymbolFußabdruck
Herunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-04-03
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Verwandte Teile

Small Signal MOSFET 30V 2.6A 90 mOhm Dual N-Channel TSOP6 FETKY
Power MOSFET 20V 3.16A 110 mOhm Single P-Channel TSOP6
Power MOSFET 20V 2A 65 mOhm Single P-Channel TSOP-6
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6-Pin TSOP T/R / MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.5A/1.9A 6-Pin TSOP T/R / MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
InfineonBSL207NL6327
Trans Mosfet N-ch 20V 2.1A 6-PIN TSOP T/r

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi NTGD4167CT1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

NTGD4167C: Small Signal MOSFET 30V 2.6A 90 mOhm Dual Complementary TSOP-6
NTGD4167CT1G N/P-channel MOSFET Transistor; 2.2 A; 2.9 A; 30 V; 6-Pin TSOP
Dual Channel N & P 30 V 90 mOhm 900 mW Surface Mount Power Mosfet - TSOP-6
Complementary Power MOSFET 30V, 2.6A, 90mΩ
Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 30V, 0.09ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N AND P CH, 30V, 2.6A, TSOP-6; Transistor Polarity: N and P Channel; Continuous Drain Current Id: 2.6A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.052ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5V; Threshold Voltage Vgs: 900mV; Power Dissipation Pd: 900mW; Transistor Case Style: TSOP; No. of Pins: 6Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Dual N/P Channel Mosfet, 30V, Tsop; Channel Type:Complementary N And P Channel; Drain Source Voltage Vds N Channel:30V; Drain Source Voltage Vds P Channel:30V; Continuous Drain Current Id N Channel:2.6A; No. Of Pins:6Pins Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTGD4167CT1G

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd