onsemi NTGD4169FT1G
Obsolete
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CAD-Modelle
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Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-05-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2010-07-21
LTD Date2011-01-21
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
NXP SemiconductorsPMN49EN,135
Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
InfineonBSL211SP L6327
MOSFET, P-CH, 20V, 4.7A, 6TSOP; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTGD4169FT1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal MOSFET 30V 2.6A 90 mOhm Dual N-Channel TSOP6 FETKY
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 2.6A Ta 2.6A 900mW 4ns
Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-Pin TSOP T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -100%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTSOP
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance90 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance295 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation900 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-25 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation900 mW
Rds On Max90 mΩ
Rise Time4 ns
Turn-Off Delay Time14 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen