onsemi NTD50N03R-35G
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Obsolete
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Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-04-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2009-06-30
LTD Date2009-12-31
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
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Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTD50N03R-35G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 7.8A Ta 45A Tc 45A 50W 4ns
Power MOSFET 25 V, 45 A, Single N-Channel, DPAK
Trans MOSFET N-CH 25V 9.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
7.8 A 25 V 0.014 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET
MOSFETs- Power and Small Signal 25V 45A N-Channel
Power Field-Effect Transistor, 7.8A I(D), 25V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N, 25V, I-PAK; Transistor type:Enhancement; Voltage, Vds typ:25V; Current, Id cont:45A; Resistance, Rds on:0.0117R; Voltage, Vgs Rds on measurement:10V; Voltage, Vgs th typ:1.7V; Case style:I-PAK; Power, Pd:50W; Transistor RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.8 A
Current Rating45 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance14 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance750 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max12 mΩ
Rise Time84 ns
Turn-Off Delay Time15 ns
Voltage Rating (DC)25 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen