onsemi NTD4815N-1G
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Obsolete
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Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-02-16
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2010-07-21
LTD Date2011-01-21
Verwandte Teile
onsemiNTD4815NH-35G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 6.9A Ta 35A Tc 35A 1.92W 17.6ns
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Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 8.5A Ta 44A Tc 44A 1.92W 19ns
onsemiNTD4865N-1G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 8.5A Ta 44A Tc 44A 1.92W 19ns
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTD4815N-1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 6.9A Ta 35A Tc 35A 1.92W 21.4ns
MOSFETs- Power and Small Signal NFET 30V 35A 15MOHM
Power MOSFET 30 V 35 A Single N-Channel DPAK/IPAK
Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
6.9 A 30 V 0.025 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:35A; Drain Source Voltage, Vds:30V; On Resistance, Rds(on):15mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:2.5V; Power Dissipation, Pd:32.6W ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.9 A
Current Rating35 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance25 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time21.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance770 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.26 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation1.92 W
Rds On Max15 mΩ
Rise Time21.4 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time11.4 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen