onsemi NTD4810NHT4G
$ 0.336
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | NTD4810NHT4G | 5.000 | 971 | |||||||||
| Rochester Electronics | NTD4810NHT4G | 5.000 | 13h | |||||||||
| Farnell | NTD4810NHT4G. | 0 | 1 | 1d | ||||||||
| Microchip USA | NTD4810NHT4G | 387 | 3500 | Tray | 5h | |||||||
| Win Source | WS-NTD4810NHT4G | 37.900 | 120 | 14h |
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi NTD4810NHT4G herunter.
Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-12-15
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2008-09-30
LTD Date2009-03-31
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
InfineonIRLR8729TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
InfineonIRLR8729TRLPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Diodes Inc.DMN3010LK3-13
Mosfet, N-Ch, 30V, 43A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN3010LK3-13
InfineonIRFR3707PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 9.7 Milliohms;ID 61A;D-Pak (TO-252AA);PD 87W
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTD4810NHT4G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power MOSFET 30V 54 A 10 mOhm Single N-Channel DPAK
Trans MOSFET N-CH 30V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 10.8A I(D), 30V, 0.0167ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Mosfet Transistor 9A Ta 54A Tc 54A 1.28W Ta 50W Tc 30V
MOSFET, N, 30V, D-PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 54A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.01ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -; Threshold Voltage Vgs: 2.5V; Power Dissipatio
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)10.8 A
Drain to Source Resistance16.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Input Capacitance1.225 nF
Max Power Dissipation1.28 W
Min Breakdown Voltage30 V
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max10 mΩ
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi NTD4810NHT4G herunter.
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen