onsemi NTD360N80S3Z
$ 1.65
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | NTD360N80S3Z | 2.270 | 2500 | 1d | ||||||||
| Newark | NTD360N80S3Z | 2.227 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | NTD360N80S3Z | 2.500 | 2500 | |||||||||
| Arrow Electronics | NTD360N80S3Z | 2.500 | 2500 | |||||||||
| DigiKey | 488-NTD360N80S3ZCT-ND | 6.891 | 1 | Cut Tape |
Bestandsverlauf
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CAD-Modelle
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0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTD360N80S3Z, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 800V 13A DPAK / N-Channel 800 V 13A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252)
MOSFET – Power, N-Channel, SUPERFET® III, 800 V, 13 A, 360 mΩ, DPAK
Transistor MOSFET N-Channel 800V 13A 3-Pin TO-252 T/R
Avnet Japan
Mosfet, N-Ch, 800V, 13A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTD360N80S3Z
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 800V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance360 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation96 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation96 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time110 ns
Turn-On Delay Time21.2 ns
Dimensions
Height2.517 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen