onsemi NTB004N10G
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Alternative Teile
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Price @ 1000
$ 4.04
$ 1.569
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Stock
253,227
267,800
267,800
Authorized Distributors
6
3
3
Mount
-
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
TO-263
TO-263
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
201 A
200 A
200 A
Threshold Voltage
-
-
-
Rds On Max
-
3.4 mΩ
3.4 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
340 W
-
-
Input Capacitance
-
7.93 nF
7.93 nF
Lieferkette
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTB004N10G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power MOSFET 201 Amps, 100 Volts N-Channel Enhancement - Mode D2PAK
Transistor MOSFET N-Channel 100V 201A 3-Pin D2PAK T/R
Avnet Japan
MOSFET MV5 SOAFET 4.2MOHM 100V N-FET D2PAK
Mosfet, N-Ch, 100V, 201A, To-263 Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTB004N10G
Power Field-Effect Transistor, 201A I(D), 100V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)201 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance4.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation340 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation340 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time84.7 ns
Turn-On Delay Time43 ns
Dimensions
Height5.08 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen