onsemi NSS40201LT1G
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | NSS40201LT1G | 3.000 | 3K | 2d | ||||||||
| Newark | NSS40201LT1G | 4.574 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | NSS40201LT1G | 805 | 1 | |||||||||
| Verical | NSS40201LT1G | 270.000 | 3K | |||||||||
| Future Electronics | NSS40201LT1G | 15.000 | 3K | Tape & Reel |
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Offizielles DatenblattVor 3 Jahren
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | Fußabdruck | 3D | Herunterladen |
 Ultra Librarian | SymbolFußabdruck | Herunterladen |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-05-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.FMMTL619TA
Small Signal Bipolar Transistor, 1.25A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
onsemiMMBTA20LT1G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
onsemiMMBTA20LT1
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
ROHMBC817-25T116
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NSS40201LT1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
ON SEMI NSS40201LT1G NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 2 A, 40 V, 3-PIN SOT-23
NSS Series 40 V 2 A Surface Mount Low Vce NPN Transistor - SOT-23
40V 460mW 200@500mA,2V 2A NPN SOT-23(TO-236) Bipolar Transistors - BJT ROHS
Bipolar Transistors - BJT LO V NPN TRANSISTOR 40V 4.0A
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
TRANS NPN 40V 2A SOT-23 / Trans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
Low VCE(sat) Transistor, NPN, 40 V, 2.0 A
TRANS, BIPOL, NPN, 40V, SOT-23; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 40V; Transition Frequency ft: 150MHz; Power Dissipation Pd: 540mW; DC Collector Current: 4A; DC Current Gain hFE: 370hFE; Transistor
Bipolar Transistor, Npn, 40V Sot-23; Transistor, Polaridad:Npn; Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo:40V; Frecuencia De Transición Ft:150Mhz; Disipación De Potencia Pd:540Mw; Corriente De Colector Dc:4A; Ganancia De Corriente Dc Hfe:370 |Onsemi NSS40201LT1G
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage115 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency150 MHz
Gain Bandwidth Product150 MHz
hFE Min180
Max Breakdown Voltage40 V
Max Collector Current2 A
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation540 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation540 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency150 MHz
Dimensions
Height1.11 mm
Length3.04 mm
Width2.64 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen