Diodes Inc. FMMTL619TA
$ 0.18
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | FMMTL619TA | 21.000 | 3K | 8h | ||||||||
| Newark | FMMTL619TA | 2.308 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | FMMTL619TA | 21.000 | 3K | |||||||||
| DigiKey | FMMTL619TADICT-ND | 3.681 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | FMMTL619TA | 0 | 1 | 4h |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-11-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.DDTD113ZC-7-F
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
Diodes Inc.DDTD142JC-7-F
DDTD Series 50 V 500 mA NPN Pre-Biased Surface Mount Transistor - SOT-23-3
Diodes Inc.DDTD123TC-7-F
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm
onsemiSMMUN2216LT3G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
onsemiFJV3113RMTF
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
onsemiFJV3114RMTF
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. FMMTL619TA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Bipolar Transistor, 1.25A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
330mV@ 125mA,1.25A NPN 675mW 7V 10nA 100V 50V 1.25A SOT-23-3 2.9mm*1.3mm*1.03mm
Trans GP BJT NPN 50V 1.25A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans, Npn, 50V, 1.25A, 150Deg C, 0.675W Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. FMMTL619TA
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-23-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight7.994566 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage195 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current1.25 A
Current Rating1.25 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency180 MHz
Gain Bandwidth Product180 MHz
hFE Min30
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current1.25 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
PolarityNPN
Power Dissipation500 mW
Transition Frequency180 MHz
Voltage Rating (DC)50 V
Dimensions
Height1 mm
Length3.05 mm
Width1.4 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen