onsemi NSBC123JDXV6T1
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Obsolete
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Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-05-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2006-12-31
LTD Date2007-06-30
Verwandte Teile
onsemiNSBC124XDXV6T1
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
onsemiNSBC143ZDXV6T1
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
onsemiNSBC114YDXV6T1
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
Diodes Inc.DDC114EH-7
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 6-Pin SOT-563 T/R / TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563
ToshibaRN4902FE,LF(CT
Transistor Silicon PNP-NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NSBC123JDXV6T1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
100 mA 50 V 2 CHANNEL NPN Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Dual Bias Resistor Transistors
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-563
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Terminals6
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current100 mA
Current Rating100 mA
Element ConfigurationDual
hFE Min80
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PolarityNPN
Power Dissipation357 mW
Voltage Rating (DC)50 V
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeContains Lead
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen