onsemi NDT014

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 60V, 2.7A, 0.2Ω
$ 0.434
Production
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DistributorSKUMinPkg
Verical
5
NDT0142.99915
Arrow Electronics
2
NDT0143.4411
Rochester ElectronicsNDT01426.262
10h
DigiKey
3
NDT014CT-ND15.3611Cut Tape
NewarkNDT01404KTape & Reel

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet7 SeitenVor 3 Jahren
Datasheet0 SeitenVor 0 Jahren

Upverter

element14 APAC

Future Electronics

onsemi

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Lieferkette

Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1995-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

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MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.16Ohm;ID 1.9A;SOT-223;PD 2.1W;VGS +/-20V
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi NDT014, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 60V, 2.7A, 0.2Ω
onsemi
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Utmel Electronic
60V N-Fet 200 Mo Sot223 Rohs Compliant: Yes
Newark
Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
60V 2.7A 180m´Î@10V1.6A 3W 3V@250uA 15pF@25V N Channel 155pF@25V 5nC@10V -65¡Í~+150¡Í@(Tj) SOT-223 MOSFETs ROHS
Dasenic
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
DigiKey Marketplace
MOSFETs N-Channel FET Enhancement Mode
Mouser
MOSFET, N SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.7A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):180mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:3W; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-223; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:2.7A; Package / Case:SOT-223; Power Dissipation Pd:3W; Power Dissipation Pd:3W; Pulse Current Idm:10A; SMD Marking:014; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
element14 APAC
Power SOT N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. These devices are particularly suited for low voltage applications such as DC motor control and DC/DC conversion where fast switching, low in-line power loss, and resistance to transients are needed.
Fairchild Semiconductor

Bilder

RS
element14 APAC
Newark
Farnell
iiiC
Future Electronics
LZChips
Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • NDT 014
  • NDT014.